您好,欢迎来到114ic资料网！

芯片资料
  • 芯片资料
  • 库存查询
  • 行业新闻
  • 生产厂家
  • 替换型号
  • 晶体管

位置：首页 > IC中文资料第2255页 > MJD243

MJD243价格

参考价格：￥1.6590

型号：MJD243G 品牌：ONSemi 备注：这里有MJD243多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MJD243批发/采购报价，MJD243行情走势销售排行榜，MJD243报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MJD243

NPNSILICONPOWERTRANSISTOR4AMPERES100VOLTS12.5WATTS

...designedforlowvoltage,low–power,high–gainaudioamplifierapplications. •Collector–EmitterSustainingVoltage—VCEO(sus)=100Vdc(Min)@IC=10mAdc •HighDCCurrentGain—hFE=40(Min)@IC=200mAdc =15(Min)@IC=

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola
MJD243

ComplementarySiliconPlasticPowerTransistor

ComplementarySiliconPlasticPowerTransistor DPAK−3forSurfaceMountApplications Designedforlowvoltage,low−power,high−gainaudioamplifierapplications. Features •Collector−EmitterSustainingVoltage− VCEO(sus)=100Vdc(Min)@IC =10mAdc •HighDCCur

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD243

SiliconNPNtransistorinaTO-252PlasticPackage

Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-252PlasticPackage. Features LowCollector−EmitterSaturationVoltage,HighCurrent−Gain. Applications Lowpoweraudioamplifier,Lowcurrent,highspeedswitchingapplications.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN
MJD243

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION •DCCurrentGain- :hFE=40(Min)@IC=0.2A •LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=0.3V(Max.)@IC=0.5A •ComplementtothePNPMJD253 •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformance andreliableoperation APPLICATIONS •Designedforlowpo

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
MJD243

ComplementarySiliconPlasticPowerTransistors

文件：168.56 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD243

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：托盘 描述：TRANS NPN 100V 4A DPAK 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD243

ComplementarySiliconPlasticPowerTransistors

文件：112.97 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD243

ComplementarySiliconPlasticPowerTransistors

文件：168.56 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD243

ComplementarySiliconPlasticPowerTransistor

文件：149.11 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD243

ComplementarySiliconPlasticPowerTransistorDPAK-3forSurfaceMountApplications

文件：98.46 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD243-1

NPNSILICONPOWERTRANSISTOR4AMPERES100VOLTS12.5WATTS

...designedforlowvoltage,low–power,high–gainaudioamplifierapplications. •Collector–EmitterSustainingVoltage—VCEO(sus)=100Vdc(Min)@IC=10mAdc •HighDCCurrentGain—hFE=40(Min)@IC=200mAdc =15(Min)@IC=

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola
MJD243T4

NPNSILICONPOWERTRANSISTOR4AMPERES100VOLTS12.5WATTS

...designedforlowvoltage,low–power,high–gainaudioamplifierapplications. •Collector–EmitterSustainingVoltage—VCEO(sus)=100Vdc(Min)@IC=10mAdc •HighDCCurrentGain—hFE=40(Min)@IC=200mAdc =15(Min)@IC=

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola
MJD243T4

ComplementarySiliconPlasticPowerTransistor

ComplementarySiliconPlasticPowerTransistor DPAK−3forSurfaceMountApplications Designedforlowvoltage,low−power,high−gainaudioamplifierapplications. Features •Collector−EmitterSustainingVoltage− VCEO(sus)=100Vdc(Min)@IC =10mAdc •HighDCCur

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD243T4G

ComplementarySiliconPlasticPowerTransistor

ComplementarySiliconPlasticPowerTransistor DPAK−3forSurfaceMountApplications Designedforlowvoltage,low−power,high−gainaudioamplifierapplications. Features •Collector−EmitterSustainingVoltage− VCEO(sus)=100Vdc(Min)@IC =10mAdc •HighDCCur

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD243_07

ComplementarySiliconPlasticPowerTransistorDPAK-3forSurfaceMountApplications

文件：98.46 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD243_11

ComplementarySiliconPlasticPowerTransistor

文件：149.11 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD243_13

ComplementarySiliconPlasticPowerTransistors

文件：168.56 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD243_16

ComplementarySiliconPlasticPowerTransistors

文件：112.97 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD243G

ComplementarySiliconPlasticPowerTransistorDPAK-3forSurfaceMountApplications

文件：98.46 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD243G

ComplementarySiliconPlasticPowerTransistor

文件：149.11 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD243G

ComplementarySiliconPlasticPowerTransistors

文件：112.97 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD243T4

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：剪切带（CT） 描述：TRANS PWR NPN 4A 100V DPAK 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD243T4

ComplementarySiliconPlasticPowerTransistorDPAK-3forSurfaceMountApplications

文件：98.46 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD243T4G

ComplementarySiliconPlasticPowerTransistorDPAK-3forSurfaceMountApplications

文件：98.46 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD243T4G

ComplementarySiliconPlasticPowerTransistor

文件：149.11 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD243T4G

ComplementarySiliconPlasticPowerTransistors

文件：112.97 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
243JE

CarbonCompositionMoldedOD/OFSeries(5Tol.)OASeries(10)

文件：124.92 Kbytes Page：1 Pages

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc2未分类制造商

etc2
243NQ

Lowforwardvoltagedrop

文件：225.85 Kbytes Page：4 Pages

SMCSintered Metal Company

烧结金属烧结金属公司

SMC
243NQ

SCHOTTKYRECTIFIER

文件：104.04 Kbytes Page：5 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
243PC

InteractiveCatalogReplacesCatalogPages

文件：348.38 Kbytes Page：5 Pages

HoneywellHoneywell Sensing and Productivity Solutions

霍尼韦尔霍尼韦尔国际

Honeywell
AAC243

CurrentModePWMContoller

文件：206.78 Kbytes Page：8 Pages

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc2未分类制造商

etc2

MJD243产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MJD243

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 4A 100V 12.5W NPN

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

MJD243供应商更多...

更新时间：2024-4-26 21:12:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市高捷芯城科技有限公司
MJD243G
onsemi(安森美)
23+
DPAK-3
959
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
询价
中天科工半导体（深圳）有限公司
MJD243G
onsemi
23+
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片
30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
询价
深圳市明嘉莱科技有限公司
MJD243T4G
ON/安森美
24+
NA
860000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
深圳市金芯世纪电子有限公司
MJD243T4G
ON/安森美
22+
SOT252
100000
代理渠道/只做原装/可含税
询价
深圳市得捷芯城科技有限公司
MJD243T4G
ON/安森美
23+
NA/
8030
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
询价
深圳市威雅利发展有限公司
MJD243T4G
ON/安森美
/
TO-252-3
130
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
深圳市品优时代科技有限公司
MJD243T4
ON/安森美
2021/2022+
NA
8000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
询价
深圳市艾宇欣科技有限公司
MJD243G
ON Semiconductor
2010+
N/A
1541
加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物
询价
深圳市弘扬芯城科技有限公司
MJD243T4G
onsemi(安森美)
23+
DPAK3
6000
询价
深圳市科恒伟业电子有限公司
MJD243T4G
ON
1726+
TO-252
6528
只做进口原装正品现货,假一赔十!
询价

MJD243芯片相关品牌

  • ANACHIP
  • BOTHHAND
  • EUROQUARTZ
  • Honeywell
  • MOLEX8
  • MPS
  • nichicon
  • nxp
  • POWERBOX
  • RECTRON
  • TAI-TECH
  • Winbond

MJD243规格书下载地址

MJD243参数引脚图相关

MJD243数据表相关新闻

DdatasheetPDF页码索引

新数据|IC资料索引|IC关键词|IC库存|IC中文资料|关于我们|联系我们

Copyright © 2003-2024 www.114ic.cn All Rights Reserved 网站备案: 粤ICP备05011613号 粤公网安备 44030402000933号

声明：本站所有资料均来自互联网及网友提供，仅供学习和研究使用，无任何商业目的，版权归原作如有侵权请联系QQ：303638005，本站马上更正

字母索引：ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789

深圳市市场监督管理局企业主体身份公示