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位置：首页 > IC中文资料第2255页 > MJD243

MJD243价格

参考价格：￥1.6590

型号：MJD243G 品牌：ONSemi 备注：这里有MJD243多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MJD243批发/采购报价，MJD243行情走势销售排行榜，MJD243报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MJD243

NPNSILICONPOWERTRANSISTOR4AMPERES100VOLTS12.5WATTS

...designedforlowvoltage,low–power,high–gainaudioamplifierapplications. •Collector–EmitterSustainingVoltage—VCEO(sus)=100Vdc(Min)@IC=10mAdc •HighDCCurrentGain—hFE=40(Min)@IC=200mAdc =15(Min)@IC=

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉加尔文制造公司

Motorola
MJD243

ComplementarySiliconPlasticPowerTransistor

ComplementarySiliconPlasticPowerTransistor DPAK−3forSurfaceMountApplications Designedforlowvoltage,low−power,high−gainaudioamplifierapplications. Features •Collector−EmitterSustainingVoltage− VCEO(sus)=100Vdc(Min)@IC =10mAdc •HighDCCur

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD243

SiliconNPNtransistorinaTO-252PlasticPackage

Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-252PlasticPackage. Features LowCollector−EmitterSaturationVoltage,HighCurrent−Gain. Applications Lowpoweraudioamplifier,Lowcurrent,highspeedswitchingapplications.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN
MJD243

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION •DCCurrentGain- :hFE=40(Min)@IC=0.2A •LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=0.3V(Max.)@IC=0.5A •ComplementtothePNPMJD253 •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformance andreliableoperation APPLICATIONS •Designedforlowpo

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
MJD243

SiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=100V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=0.3V(Max)@IC=0.5A APPLICATIONS ·Designedforlowpoweraudioamplifierandlow-current, high-speedswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
MJD243

SiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=100V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=0.3V(Max)@IC=0.5A APPLICATIONS ·Designedforlowpoweraudioamplifierandlow-current, high-speedswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
MJD243

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：托盘 描述：TRANS NPN 100V 4A DPAK 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD243

ComplementarySiliconPlasticPowerTransistors

文件：168.56 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD243

ComplementarySiliconPlasticPowerTransistors

文件：112.97 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD243

ComplementarySiliconPlasticPowerTransistors

文件：168.56 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD243

ComplementarySiliconPlasticPowerTransistor

文件：149.11 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD243

ComplementarySiliconPlasticPowerTransistorDPAK-3forSurfaceMountApplications

文件：98.46 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD243-1

NPNSILICONPOWERTRANSISTOR4AMPERES100VOLTS12.5WATTS

...designedforlowvoltage,low–power,high–gainaudioamplifierapplications. •Collector–EmitterSustainingVoltage—VCEO(sus)=100Vdc(Min)@IC=10mAdc •HighDCCurrentGain—hFE=40(Min)@IC=200mAdc =15(Min)@IC=

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉加尔文制造公司

Motorola
MJD243-251

SiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=100V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=0.3V(Max)@IC=0.5A APPLICATIONS ·Designedforlowpoweraudioamplifierandlow-current, high-speedswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
MJD243-252

SiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=100V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=0.3V(Max)@IC=0.5A APPLICATIONS ·Designedforlowpoweraudioamplifierandlow-current, high-speedswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
MJD243T4

ComplementarySiliconPlasticPowerTransistor

ComplementarySiliconPlasticPowerTransistor DPAK−3forSurfaceMountApplications Designedforlowvoltage,low−power,high−gainaudioamplifierapplications. Features •Collector−EmitterSustainingVoltage− VCEO(sus)=100Vdc(Min)@IC =10mAdc •HighDCCur

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD243T4

NPNSILICONPOWERTRANSISTOR4AMPERES100VOLTS12.5WATTS

...designedforlowvoltage,low–power,high–gainaudioamplifierapplications. •Collector–EmitterSustainingVoltage—VCEO(sus)=100Vdc(Min)@IC=10mAdc •HighDCCurrentGain—hFE=40(Min)@IC=200mAdc =15(Min)@IC=

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉加尔文制造公司

Motorola
MJD243T4G

ComplementarySiliconPlasticPowerTransistor

ComplementarySiliconPlasticPowerTransistor DPAK−3forSurfaceMountApplications Designedforlowvoltage,low−power,high−gainaudioamplifierapplications. Features •Collector−EmitterSustainingVoltage− VCEO(sus)=100Vdc(Min)@IC =10mAdc •HighDCCur

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD243_07

ComplementarySiliconPlasticPowerTransistorDPAK-3forSurfaceMountApplications

文件：98.46 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD243_11

ComplementarySiliconPlasticPowerTransistor

文件：149.11 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD243_13

ComplementarySiliconPlasticPowerTransistors

文件：168.56 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD243_16

ComplementarySiliconPlasticPowerTransistors

文件：112.97 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD243G

ComplementarySiliconPlasticPowerTransistorDPAK-3forSurfaceMountApplications

文件：98.46 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD243G

ComplementarySiliconPlasticPowerTransistor

文件：149.11 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD243G

ComplementarySiliconPlasticPowerTransistors

文件：112.97 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD243T4

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：剪切带（CT） 描述：TRANS PWR NPN 4A 100V DPAK 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD243T4

ComplementarySiliconPlasticPowerTransistorDPAK-3forSurfaceMountApplications

文件：98.46 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD243T4G

ComplementarySiliconPlasticPowerTransistorDPAK-3forSurfaceMountApplications

文件：98.46 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD243T4G

ComplementarySiliconPlasticPowerTransistor

文件：149.11 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD243T4G

ComplementarySiliconPlasticPowerTransistors

文件：112.97 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
243NQ

SCHOTTKYRECTIFIER

175℃TJoperation Uniquehighpower,Half-Pakmodule ReplacesthreeparallelDO-5’S EasiertomountandlowerprofilethanDO-5’S Highpurity,hightemperatureepoxyencapsulation forenhanced mechanicalstrengthandmoistureresistance Lowforwardvoltagedrop Highfrequencyoperation Gu

SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD

桑德斯微电子桑德斯微电子器件（南京）有限公司

SMCDIODE
243JE

CarbonCompositionMoldedOD/OFSeries(5Tol.)OASeries(10)

文件：124.92 Kbytes Page：1 Pages

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

etc2
243NQ

Lowforwardvoltagedrop

文件：225.85 Kbytes Page：4 Pages

SMCSangdest Microelectronic (Nanjing) Co., Ltd

烧结金属

SMC
243NQ

SCHOTTKYRECTIFIER

文件：104.04 Kbytes Page：5 Pages

IRF

International Rectifier

IRF
243PC

InteractiveCatalogReplacesCatalogPages

文件：348.38 Kbytes Page：5 Pages

HoneywellHoneywell Solid State Electronics Center

霍尼韦尔霍尼韦尔国际

Honeywell

MJD243产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MJD243

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 4A 100V 12.5W NPN

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

MJD243供应商更多...

更新时间：2025-7-29 21:34:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市纳立科技有限公司
MJD243T4G
三年内
1983
只做原装正品
询价
深圳市金芯世纪电子有限公司
MJD243T4G
ON/安森美
22+
SOT252
100000
代理渠道/只做原装/可含税
询价
深圳市得捷芯城科技有限公司
MJD243T4G
ON/安森美
24+
NA/
8030
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
询价
深圳市科芯源微电子有限公司
MJD243T4G
ONSEMI/安森美
25+
原厂原封可拆样
64687
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价
询价
深圳市恒凯威科技开发有限公司
MJD243G
ON/安森美
21+
DPAK-3
8080
只做原装,质量保证
询价
深圳市联世界科技有限公司
MJD243T4G
ON
24+/25+
2121
原装正品现货库存价优
询价
深圳市福田区绿盛电子商行
MJD243G
ONS
2018+
26976
代理原装现货/特价热卖!
询价
深圳市芯球通科技有限公司
MJD243T4G
ON(安森美)
23+
DPAK-3
12369
公司只做原装正品,假一赔十
询价
深圳市能元时代电子有限公司
MJD243G
ON
23+
TO-252
12800
公司只有原装 欢迎来电咨询。
询价
深圳市富利微电子科技有限公司
MJD243G
ON/安森美
24+
DPAK-3
30000
原装正品公司现货,假一赔十!
询价

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