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MJD243-251

SiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=100V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=0.3V(Max)@IC=0.5A APPLICATIONS ·Designedforlowpoweraudioamplifierandlow-current, high-speedswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
更新时间:2025-7-30 23:00:00
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