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MJD243-251

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 100V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= 0.3V(Max) @IC= 0.5A APPLICATIONS · Designed for low power audio amplifier and low-current, high-speed switching applications

ISC

无锡固电

更新时间:2025-11-26 23:00:00
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