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MJD243-251中文资料

厂家型号

MJD243-251

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功能描述

Silicon NPN Power Transistor

数据手册

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生产厂商

ISC

MJD243-251数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

· Collector-Emitter Breakdown Voltage

-V(BR)CEO= 100V(Min)

· Collector-Emitter Saturation Voltage

-VCE(sat):= 0.3V(Max) @IC= 0.5A

APPLICATIONS

· Designed for low power audio amplifier and low-current,

high-speed switching applications

更新时间:2025-10-8 15:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
24+
DPAK4LEADSingleG
8866
ON
23+
DPAK
5000
原装正品,假一罚十
ON
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