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POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

Motorola

摩托罗拉

isc P-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= -4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= -60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.6Ω(Max) ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC converter,

ISC

无锡固电

isc P-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= -4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= -60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.6Ω(Max) ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC converter,

ISC

无锡固电

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:2.88383 Mbytes Page:7 Pages

FOSTER

福斯特半导体

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:1.00162 Mbytes Page:6 Pages

LEIDITECH

雷卯电子

更新时间:2025-10-28 19:12:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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2025+
TO-252
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    ME6206A25M3G,全新.当天发货或门市自取,如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一企鹅:一一七四零五二三五三,V:八七六八零五五八.

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    ME3110AM6G,全新.当天发货0755-82732291当天发货或门市自取. 企鹅:一七五五二三二五七五 /企鹅:一一五七六一一五八五,威:八七六八零五五八.

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