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LMTM4P06

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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LEIDITECH

雷卯电子

POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

Motorola

摩托罗拉

isc P-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= -4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= -60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.6Ω(Max) ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC converter,

ISC

无锡固电

isc P-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= -4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= -60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.6Ω(Max) ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC converter,

ISC

无锡固电

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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FOSTER

福斯特半导体

更新时间:2025-9-18 14:14:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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MURATA/村田
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SMD33
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