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MTD4P06D

iscP-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=-4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.6Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter,

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR

POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉加尔文制造公司

Motorola

iscP-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=-4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.6Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter,

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

文件:2.88383 Mbytes Page:7 Pages

FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.

福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司

FOSTER

P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

文件:1.00162 Mbytes Page:6 Pages

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司

LEIDITECH
更新时间:2025-7-4 17:19:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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