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ME30N03

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

ME30N03

MOSFET

Forcemos

力士科技

30V N-Channel Power

Features VDS = 30V,ID =90A RDS(ON),3.9 mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON), 6.5mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Low on resistance Low gate charge Fast switching Low reverse transfer capacitances

UMW

友台半导体

30V N-Channel Power

General Description These N-channel enhancement mode power mosfets used advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS standard. Features VDS = 30V,ID =90A RDS(ON),3.9 mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON), 6.5mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Low on

EVVOSEMI

翊欧

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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微碧半导体

30A竊?0V N-CHANNEL MOSFET

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KIA

可易亚半导体

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2025-12-26 17:10:00
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  • ME431AXG

    属性 参数值 商品目录 电压基准芯片 输出电压(最小值/固定) 2.5V 输出电流 100mA 输出电压(最大值) 36V 输入电压 - 电源电流 - 输出类型 可调式 工作温度 -40°C ~ 150°C(TA) 温度系数 20ppm/°C 阴极电流 1mA 精度 ±0.4%_ 参考源类型 分流器

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