| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR General Description Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others. Polyfet process features gold metal for greatly extended lifetime | POLYFET |   | ||
Avalanche Diodes with built-in Thyristor Avalanche Diodes with built-in Thyristor | SANKEN 三垦 | | ||
SCRs 1-70 AMPS NON-SENSITIVE GATE Features ● Electrically Isolated Packages ● High Voltage Capability - 30 - 600 Volts ● High Surge Capability - up to 950 Amps ● Glass Passivated Chip | TECCOR | | ||
SCRs 1-70 AMPS NON-SENSITIVE GATE Features ● Electrically Isolated Packages ● High Voltage Capability - 30 - 600 Volts ● High Surge Capability - up to 950 Amps ● Glass Passivated Chip | TECCOR | | ||
Versatile telephone transmission circuit with dialler interface 文件：154.29 Kbytes Page：28 Pages | PHILIPS 飞利浦 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FUSES |
2026+ |
NA |
519 |
原装正品,假一罚十! |
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POLYFET |
25+ |
TO-57-8 |
9630 |
我们只做原装正品现货!量大价优! |
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SOSHIN |
15+ROHS |
SMD |
244000 |
一级质量保证长期稳定提供货优价美 |
|||
南京国博 |
2450+ |
QFN |
6540 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
NS |
25+ |
TSSOP20 |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
|||
POLYFET |
23+ |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
||||
NS |
24+ |
TSSOP20 |
6980 |
原装现货,可开13%税票 |
|||
FSL |
25+ |
2789 |
全新原装自家现货!价格优势! |
||||
POLYFET |
24+ |
SMD |
5500 |
长期供应原装现货实单可谈 |
|||
POLYFET |
NA |
5500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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2021-5-23LTC1046CS8#PBF贴片SOP8开关稳压器规格信息
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2020-2-8LTC1060ACN，LTC1865LIMS，LT3430EFE-1，lt1963aes8，LT1761ES5-3.3，LT1930AES5#TRMPBF，LT1120ACS8，LP3982ILD-ADJ，LP2981AIM5-3.0/NOPB，LP2981-3.0，LNK614PG，LNK364PG，LMH6624MA
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2019-12-30LTC1255I-双24V的高侧MOSFET驱动器
描述 在LTC1255双高侧驱动器允许使用低成本N沟道场效应管的高边工业和汽车 开关应用。内部电荷泵增强铁路正上方的栅极驱动电压，全面提高一个N沟道MOS开关无外部元件。低功耗操作，12mA电流待机电流，使几乎所有的系统与使用最高的效率。包括片上是独立的过流检测提供在短路情况下自动关机。一时间延迟可以被添加到当前意义防止高浪涌电流负载假触发。LTC1255工作在从9V至24V电源，并非常适用于工业和汽车应用。该LTC1255在这两个8引脚DIP和一8引脚SOIC封装。 特点 全面提升N沟道功率MOSFET 12
2013-2-27LTC1154-高边MOSFET驱动器微
描述 单一的LTC1154高边栅极驱动器允许使用低成本N沟道场效应管的高侧开关应用。内部电荷泵提升了栅极驱动电压上述积极铁路，充分提高一个N沟道MOS开关，无需外部元件。微操作，待机电流为8mA，并与工作电流达85mA，几乎所有的系统允许的最大使用效率。该芯片还包含可编程的过电流检测。一时间延迟可以被添加到防止假触发高浪涌电流负载。高有效的关断输入还提供了直接和接口标准PTC公司热敏电阻热关机。开漏输出报告提供的开关状态的国会议员。低有效使能输入可控制多台交换机在银行。该LTC1154备有8脚DIP和8脚SOIC包。 特点 全面提升N沟
2013-2-27LTC1046-“电感”5V到+5 V转换器
特点 50毫安输出电流 兼容插件与ICL7660/LTC1044 ROUT =35W最大 300毫安最大无负载电源电流在5V BOOST引脚（引脚1）更高的开关频率 97％最小开路电压转换效率 95％，最小功率转换效率 宽工作电源电压范围：1.5V到6V 易于使用 低成本 LTC®1046是一个50mA的单片CMOS开关电容电压转换器。它插在ICL7660/LTC1044在5V应用中，更大的输出电流需要。该器件
2012-12-25
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