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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
LP1500

1W POWER PHEMT

DESCRIPTION AND APPLICATIONS The LP1500 is an Aluminum Gallium Arsenide / Indium Gallium Arsenide (AlGaAs/InGaAs) Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor (PHEMT), utilizing an Electron-Beam directwrite 0.25 mm by 1500 mm Schottky barrier gate. The recessed “mushroom” gate structure

FILTRONIC

LP1500

1W POWER PHEMT

FILTRONIC

LP1500P100

PACKAGED 1W POWER PHEMT

DESCRIPTION AND APPLICATIONS The LP1500P100 is a packaged Aluminum Gallium Arsenide / Indium Gallium Arsenide (AlGaAs/InGaAs) pseudomorphic High Electron Mobility Transistor (pHEMT). It utilizes a 0.25 mm x1500 mm Schottky barrier gate, defined by electron-beam photolithography. The recessed

FILTRONIC

LP1500SOT223

Low Noise, High Linearity Packaged PHEMT

DESCRIPTION AND APPLICATIONS The LP1500SOT223 is a packaged Aluminum Gallium Arsenide / Indium Gallium Arsenide (AlGaAs/InGaAs) Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor (PHEMT), utilizing an Electron-Beam direct-write 0.25 µm by 1500 µm Schottky barrier gate. The recessed “mushroom” g

FILTRONIC

LP1500SOT2231

Low Noise, High Linearity Packaged PHEMT

DESCRIPTION AND APPLICATIONS The LP1500SOT223 is a packaged Aluminum Gallium Arsenide / Indium Gallium Arsenide (AlGaAs/InGaAs) Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor (PHEMT), utilizing an Electron-Beam direct-write 0.25 µm by 1500 µm Schottky barrier gate. The recessed “mushroom” g

FILTRONIC

LP1500SOT2232

Low Noise, High Linearity Packaged PHEMT

DESCRIPTION AND APPLICATIONS The LP1500SOT223 is a packaged Aluminum Gallium Arsenide / Indium Gallium Arsenide (AlGaAs/InGaAs) Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor (PHEMT), utilizing an Electron-Beam direct-write 0.25 µm by 1500 µm Schottky barrier gate. The recessed “mushroom” g

FILTRONIC

LP1500SOT2233

Low Noise, High Linearity Packaged PHEMT

DESCRIPTION AND APPLICATIONS The LP1500SOT223 is a packaged Aluminum Gallium Arsenide / Indium Gallium Arsenide (AlGaAs/InGaAs) Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor (PHEMT), utilizing an Electron-Beam direct-write 0.25 µm by 1500 µm Schottky barrier gate. The recessed “mushroom” g

FILTRONIC

LP1500SOT89

LOW NOISE, HIGH LINEARITY PACKAGED PHEMT

DESCRIPTION AND APPLICATIONS The LP1500SOT89 is a packaged Aluminum Gallium Arsenide / Indium Gallium Arsenide (AlGaAs/InGaAs) pseudomorphic High Electron Mobility Transistor (pHEMT). It utilizes a 0.25 mmx1500 mm Schottky barrier gate, defined by electron-beam photolithography. The recesse

FILTRONIC

LP1500P100

PACKAGED 1W POWER PHEMT

FILTRONIC

LP1500SC

半导体放电管

LRC

乐山无线电

1500

Single, Dual, Triple Output DC/DC Converter

文件：212.76 Kbytes Page：6 Pages

MAKE-PS

1500

Gigabit Ethernet SPD

文件：171.31 Kbytes Page：2 Pages

Bourns

伯恩斯

1500

Venture Tape??Cloth Duct Tape

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3M

1500

.187˝ Diameter Ground Pins – Female

文件：130.199 Kbytes Page：1 Pages

Heyco

1500

Metal-Out Static Shielding Bag 1500

文件：309.78 Kbytes Page：1 Pages

SCS

LP1500产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    LP1500

  • 制造商

    FILTRONIC

  • 制造商全称

    FILTRONIC

  • 功能描述

    1W POWER PHEMT

LP1500供应商更多...

更新时间：2025-11-24 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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