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NPNSiGeRFTransistorforLowNoise,High-Gain

FEATURES •TheNESG3033M14isanidealchoiceforlownoise,high-gainamplification NF=0.6dBTYP.@VCE=2V,IC=6mA,f=2.0GHz •Maximumstablepowergain:MSG=20.5dBTYP.@VCE=2V,IC=15mA,f=2.0GHz •SiGeHBTtechnology(UHS3)adopted:fmax=110GHz •Thisproduct

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
更新时间:2025-6-10 8:40:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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原装新货/价格漂亮/长期大量供应

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