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AML1005H5N6STS中文资料

厂家型号

AML1005H5N6STS

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16

功能描述

NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

数据手册

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生产厂商

RENESAS

AML1005H5N6STS数据手册规格书PDF详情

FEATURES

• The NESG3033M14 is an ideal choice for low noise, high-gain amplification

NF = 0.6 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 2.0 GHz

• Maximum stable power gain: MSG = 20.5 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 15 mA, f = 2.0 GHz

• SiGe HBT technology (UHS3) adopted: fmax = 110 GHz

• This product is improvement of ESD of NESG3032M14.

• 4-pin lead-less minimold (M14, 1208 PKG)

AML1005H5N6STS产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AML1005H5N6STS

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

更新时间:2025-11-27 15:34:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FDK
2015+ROHS
SMD
72800
原装新货/价格漂亮/长期大量供应
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25+
INDUCTOR
880000
明嘉莱只做原装正品现货
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