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AML1005H5N6STS

NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

FEATURES • The NESG3033M14 is an ideal choice for low noise, high-gain amplification NF = 0.6 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 2.0 GHz • Maximum stable power gain: MSG = 20.5 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 15 mA, f = 2.0 GHz • SiGe HBT technology (UHS3) adopted: fmax = 110 GHz • This product

RENESAS

瑞萨

AML1005H5N6STS产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AML1005H5N6STS

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

更新时间:2025-8-7 15:35:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FDK
2015+ROHS
SMD
72800
原装新货/价格漂亮/长期大量供应
FDK
24+
NA
3500
原装现货,可开13%税票
FDK
24+
5000
原装现货,特价销售
FDK
25+
INDUCTOR
880000
明嘉莱只做原装正品现货
FDK
23+
SMD-0402
7300
专注配单,只做原装进口现货
FDK
23+
SMD-0402
7300
专注配单,只做原装进口现货
FDK
2402+
SMD
8324
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FDK
23+
400000
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23+
0402L
9868
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24+
10000

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