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Description
This HEXFET®Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating.These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Features
● Advanced Process Technology
● Ultra Low On-Resistance
● Dynamic dv/dt Rating
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
● Lead-Free
IRF1010EZSPBF产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRF1010EZSPBF
- 功能描述
MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms 58nC
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
标准封装 |
12048 |
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。 |
|||
IR/INFINEON |
16+ |
TO-263 |
300 |
只做进口原装假一赔百 |
|||
IR |
24+ |
TO-263 |
400 |
||||
IR |
23+ |
TO-263 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
IR |
24+ |
TO-263 |
90000 |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
|||
IR |
24+ |
TO-263 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
International Rectifier |
2022+ |
1 |
全新原装 货期两周 |
||||
IR |
15+/16+PBF |
TO-263 |
3205 |
现货 |
|||
INFINEON |
1503+ |
TO-263 |
3000 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
IRF1010EZSPBF 价格
参考价格：￥3.5335
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- P97
- P98
- P99
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International Rectifier
中文资料: 32179条
International Rectifier Corporation（简称IRF）是一家全球领先的功率半导体制造商，成立于1947年，总部位于美国加利福尼亚州。IRF专注于开发和提供高效能的功率管理解决方案，其产品广泛应用于汽车、工业、消费电子、航空航天、通信和计算等多个领域。公司以其功率MOSFET闻名，提供多种类型的整流二极管，包括肖特基二极管和超快恢复二极管，同时还开发IGBT（绝缘栅双极晶体管）和电源管理IC。IRF在功率半导体领域的创新和技术积累为其赢得了良好的声誉，并于2014年被英飞凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）收购，这一收购旨在增强英飞凌在
