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Description
This HEXFET®Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating.These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Features
● Advanced Process Technology
● Ultra Low On-Resistance
● Dynamic dv/dt Rating
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
● Lead-Free
IRF1010EZL产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRF1010EZL
- 功能描述
MOSFET N-CH 60V 75A TO-262
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
HEXFET®
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
TO-262 |
12500 |
只做原装支持实单需要联系Q：235 |
||||
IR |
24+ |
TO-262 |
8866 |
||||
IR |
2015+ |
TO-262 |
12500 |
全新原装,现货库存长期供应 |
|||
IR |
25+ |
QFN |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
|||
IR |
23+ |
TO-262 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
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IR |
23+ |
TO-262-3 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
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IR |
20+ |
TO-262 |
38900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
INFINEON |
25+ |
TO-262 |
3000 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
IR |
23+ |
TO-262 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
IR |
23+ |
TO-262 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
IRF1010EZLPBF 价格
参考价格：￥5.3421
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- CY3732VP400-100BAXC
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- PIC18F8525T-E/PT
- PIC18LF6525T-E/PT
- PIC18LF6621T-E/PT
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- STB9NK60ZD
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- WT6803
Datasheet数据表PDF页码索引
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