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Description
This HEXFET®Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating.These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Features
● Advanced Process Technology
● Ultra Low On-Resistance
● Dynamic dv/dt Rating
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
● Lead-Free
IRF1010EZS产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRF1010EZS
- 功能描述
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
HEXFET®
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
标准封装 |
12048 |
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。 |
|||
IR |
25+ |
TO263 |
20300 |
IR原装特价IRF1010EZSTRLPBF即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
IR |
SOT-263 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
||||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-263 |
5600 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
IR |
22+ |
D2-PAK |
9450 |
原装正品，实单请联系 |
|||
IR |
2021+ |
TO-263 |
9000 |
原装现货,随时欢迎询价 |
|||
INFINEON |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
2450+ |
TO-263 |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
IR |
2015+ |
D2-Pak |
12500 |
全新原装,现货库存长期供应 |
|||
IR |
25+ |
QFN |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
IRF1010EZSTRLP 价格
参考价格：￥6.2426
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- A29DL323TG-80
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- AS4C256K16E0-50
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- CAT1321WI-45TDFN
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- CY3732VP400-100BAXC
- CY3732VP48-83BAXC
- G5130-39T15UF
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- IRF1010EZL
- M95640-DW6P
- PIC18F8525T-E/PT
- PIC18LF6525T-E/PT
- PIC18LF6621T-E/PT
- RBM-1212S
- S-817B34AUA-CWX-T2
- STB9NK60ZD
- STB9NK60ZDT4
- USB2228-NU-XX
- WT6803
Datasheet数据表PDF页码索引
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