IXYH20N120C3价格

参考价格:¥18.3740

型号:IXYH20N120C3 品牌:IXYS 备注:这里有IXYH20N120C3多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IXYH20N120C3批发/采购报价,IXYH20N120C3行情走势销售排行榜,IXYH20N120C3报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IXYH20N120C3

High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching

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IXYS

艾赛斯

IXYH20N120C3

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 1200V 40A 278W TO-247AD 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

艾赛斯

IXYH20N120C3

XPT™ Planar IGBT

Littelfuse

力特

XPT™ Planar IGBT

Littelfuse

力特

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 1200V 36A 230W TO-247AD 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

艾赛斯

High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching

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IXYS

艾赛斯

45A, 1200V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

45A, 1200V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode The HGTG20N120C3D is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction los

Intersil

High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching

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IXYS

艾赛斯

High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching

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IXYS

艾赛斯

IXYH20N120C3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXYH20N120C3

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 GenX3 1200V XPT IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-10 13:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/LITTELFUSE
1901
TO-247
15800
全新原装正品现货直销
IXYS/艾赛斯
23+
TO247
28888
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
24+
N/A
56000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
IXYS(艾赛斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾赛斯)全系列在售
IXYS/艾赛斯
23+
NA
12730
原装正品代理渠道价格优势
IXS
2447
SMD
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
IXYS
22+
TO247 (IXYH)
9000
原厂渠道,现货配单
IXYS/艾赛斯
24+
TO-247
42330
只做全新原装进口现货
IXYS
21+
原厂封装
300
保证原装正品 深圳现货
IXYS
24+
NA
3088
进口原装正品优势供应

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