IXTY3N60P价格

参考价格:¥3.5671

型号:IXTY3N60P 品牌:Ixys 备注:这里有IXTY3N60P多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IXTY3N60P批发/采购报价,IXTY3N60P行情走势销售排行榜,IXTY3N60P报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IXTY3N60P

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

IXTY3N60P

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

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IXYS

艾赛斯

IXTY3N60P

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

文件:234.48 Kbytes Page:4 Pages

IXYS

艾赛斯

IXTY3N60P

N通道标准 Polar™ MOSFET

Littelfuse

力特

3 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION The UTC 3N60 is a high voltage and high current power MOSFET , designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching app

UTC

友顺

3 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

文件:363.66 Kbytes Page:8 Pages

UTC

友顺

N-Channel Power MOSFET

文件:442.29 Kbytes Page:9 Pages

NELLSEMI

尼尔半导体

Fast Switching

文件:49.9 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件:1.08665 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

IXTY3N60P产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXTY3N60P

  • 功能描述

    MOSFET 3 Amps 600V 3 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-25 16:55:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBsemi
21+
TO252
10026
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IXYS
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11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十

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