位置：首页 > IC中文资料第407页 > IXTY2N80P
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IXTY2N80P | isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：308.6 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 |   | |
IXTY2N80P | PolarHV Power MOSFET 文件：162.65 Kbytes Page：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | | |
IXTY2N80P | N-Channel: Standard Power MOSFETs | Littelfuse 力特 | | |
2.0A, 800V NHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 2N80-C provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES0 * RDS(ON) ≤ 5.6 Ω @ VGS=10V, ID=1.0A * Low Reverse Transfer Capacitance * Fast Switching Capab | UTC 友顺 | | ||
2 Amps, 800 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：170.28 Kbytes Page：6 Pages | UTC 友顺 | | ||
Drain Current ID= 2.4A@ TC=25C 文件：68.07 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
2A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：235.68 Kbytes Page：6 Pages | UTC 友顺 | | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：263.34 Kbytes Page：7 Pages | UTC 友顺 | |
IXTY2N80P产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXTY2N80P
- 功能描述
MOSFET 2 Amps 800V 6 Rds
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
NA/ |
21000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
IXYS |
23+ |
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
原装正品，支持实单 |
|||
IXYS |
23+ |
TO-252 |
7000 |
||||
JC |
25+ |
TO252 |
20300 |
JC原装特价IXTY2N80P即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-252 |
986966 |
国产 |
|||
24+ |
N/A |
76000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
|||
IXYS |
22+ |
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-252 |
65000 |
原装正品 华强现货 |
|||
IXYS |
23+ |
TO-252 |
8000 |
只做原装现货 |
IXTY2N80P规格书下载地址
IXTY2N80P参数引脚图相关
- l234
- l101
- l100
- ku波段
- kt250
- kse13005
- ks20
- km710
- ka5q1265rf
- k9f1208
- k310
- k2698
- k233
- k2055
- k2010
- jumper
- jtag接口
- jk触发器
- j111
- j108
- IZ0066
- IZ0065
- IYT0550
- IYD4251
- IYD2151
- IY100T
- IY100C
- IY100
- IXXCB3
- IXXCB1
- IXXCA3
- IXXCA1
- IXXBB3
- IXXBB1
- IXXBA3
- IXXBA1
- IXXAB3
- IXXAB1
- IXXAA3
- IXXAA1
- IXUN350N10
- IXUN280N10
- IXUC60N10
- IXUC200N055
- IXUC160N075
- IXUC120N10
- IXUC100N055
- IXTZ550N055T2
- IXTYH21N50
- IXTY64N055T
- IXTY5N50P
- IXTY55N075T
- IXTY50N085T
- IXTY4N60P
- IXTY48P05T
- IXTY44N10T
- IXTY3N60P
- IXTY3N50P
- IXTY32P05T
- IXTY2R4N50P
- IXTY2N60P
- IXTY2N100P
- IXTY26P10T
- IXTY24N15T
- IXTY1R6N50P
- IXTY1R6N50D2
- IXTY1R6N100D2
- IXTY1R4N60PTRL
- IXTY1R4N60P
- IXTY1R4N120P
- IXTY1R4N100P
- IXTY1N80P
- IXTY1N80
- IXTY1N120P
- IXTY1N100P
- IXTY18P10T
- IXTY12N06T
- IXTY10P15T
- IXTY08N50D2
- IXTY08N120P
- IXT905
- IXS839B
- IXS839A
- IXS839
- IXR100
- IXP46X
- IXP45X
- IXP42X
- IXP425
- IXP2400
- IXI859
- IXI858
- IXHQ100
- IXFH450
- IXFH350
- IXFH250
- IXFH150
- IXDS430
- IXDP631
- IXDP630
IXTY2N80P数据表相关新闻
IXXYS MOS 二极管 IGBT IC 元器件 IXYS DIODE FRED Single MOS
IGBT模块.IGBT驱动板.IPM模块.GTR模块.IGBT单管.可控硅.晶闸管.整流模块.熔断器.二极管.电容. 无感电容.变频器.伺服电机.伺服驱动器.
2023-9-18IXYH50N120C3D1
IXYH50N120C3D1
2023-5-24IXYH24N170C
IXYH24N170C
2023-5-24IXTH60N20X4
IXTH60N20X4
2022-8-31IXTH60N20X4
IXTH60N20X4
2022-8-11IXTT16N10D2
IXTT16N10D2
2022-6-9
DdatasheetPDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
- P98
- P99
- P100
- P101
- P102
- P103
- P104
- P105
