位置：首页 > IC中文资料第407页 > IXTY2N80P
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IXTY2N80P | isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：308.6 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 |   | |
IXTY2N80P | PolarHV Power MOSFET 文件：162.65 Kbytes Page：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | | |
IXTY2N80P | N-Channel: Standard Power MOSFETs | Littelfuse 力特 | | |
2.0A, 800V NHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 2N80-C provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES0 * RDS(ON) ≤ 5.6 Ω @ VGS=10V, ID=1.0A * Low Reverse Transfer Capacitance * Fast Switching Capab | UTC 友顺 | | ||
2 Amps, 800 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：170.28 Kbytes Page：6 Pages | UTC 友顺 | | ||
Drain Current ID= 2.4A@ TC=25C 文件：68.07 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
2A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：235.68 Kbytes Page：6 Pages | UTC 友顺 | | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：263.34 Kbytes Page：7 Pages | UTC 友顺 | |
IXTY2N80P产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXTY2N80P
- 功能描述
MOSFET 2 Amps 800V 6 Rds
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
JINGDAO/晶导微 |
23+ |
SOD-123FL |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
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IXYS/艾赛斯 |
24+ |
NA/ |
21000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
IXYS |
22+ |
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
Littelfuse/IXYS |
24+ |
TO252AA |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
|||
IXYS |
23+ |
TO-252 |
8000 |
只做原装现货 |
|||
IXYS |
23+ |
TO-252 |
7000 |
||||
I |
25+ |
TO-252 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
IXYS/LITTELFUSE |
2037 |
TO-252 |
15800 |
全新原装正品现货直销 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
21+ |
TO-252 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
|||
JC |
25+ |
TO252 |
20300 |
JC原装特价IXTY2N80P即刻询购立享优惠#长期有货 |
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2023-9-18IXYH50N120C3D1
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2023-5-24IXYH24N170C
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2023-5-24IXTH60N20X4
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2022-8-31IXTH60N20X4
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2022-8-11IXTT16N10D2
IXTT16N10D2
2022-6-9
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