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IXTP44N30T

封装/外壳:TO-220-3 包装:管件 描述:MOSFET N-CH 300V 44A TO220AB 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

IXYS

艾赛斯

300V N-Channel MOSFET

300V N-Channel MOSFET

Fairchild

仙童半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=43.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=300V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =69mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con

ISC

无锡固电

更新时间:2025-12-31 14:30:00
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