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IXTP3N110

High Voltage Power MOSFETs

Features ● International standard packages ● Low RDS (on) ● Rated for unclamped Inductive load Switching (UIS) ● Molding epoxies meet UL 94 V-0 flammability classification Advantages ● Easy to mount ● Space savings ● High power density

IXYS

艾赛斯

IXTP3N110

N-Channel: Standard Power MOSFETs

Littelfuse

力特

High Voltage Power MOSFETs

Features ● International standard packages ● Low RDS (on) ● Rated for unclamped Inductive load Switching (UIS) ● Molding epoxies meet UL 94 V-0 flammability classification Advantages ● Easy to mount ● Space savings ● High power density

IXYS

艾赛斯

NPN/PNP DUAL EMITTER CHOPPER BI-POLAR TRANSISTORS

文件:148.75 Kbytes Page:1 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

IXTP3N110产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXTP3N110

  • 功能描述

    MOSFET 3 Amps 1100V 4 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-30 9:43:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
1421+
TO220
40
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
IXYS
22+
TO2203
9000
原厂渠道,现货配单
IXYS/艾赛斯
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89630
当天发货全新原装现货
IXYS
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原装原标原盒 给价就出 全网最低
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IXYS(艾赛斯)
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只做原装优势现货库存,渠道可追溯

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