型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 80V, 30A, RDS(ON) = 30mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. Lead-free plating ; RoHS compliant. RDS(ON) = 38mW @VGS = 4.5V.

CET-MOS

华瑞

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 80V, 30A, RDS(ON) = 30mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. Lead-free plating ; RoHS compliant. RDS(ON) = 38mW @VGS = 4.5V.

CET-MOS

华瑞

POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

Motorola

摩托罗拉

CED30N08

文件:577.79 Kbytes Page:4 Pages

CET

华瑞

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

文件:949.61 Kbytes Page:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

IXTP30N08产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXTP30N08

  • 功能描述

    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220(5)

更新时间:2025-11-6 20:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
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NA/
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原装现货,当天可交货,原型号开票
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