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IXTP02N50D价格
参考价格：￥14.5530
型号：IXTP02N50D 品牌：Ixys 备注：这里有IXTP02N50D多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IXTP02N50D批发/采购报价，IXTP02N50D行情走势销售排行榜，IXTP02N50D报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IXTP02N50D | High Voltage MOSFET N-Channel, Depletion Mode Features ● Normally ON mode ● Low RDS(on) HDMOSTM process ● Rugged polysilicon gate cell structure ● Fast switching speed Applications ● Level shifting ● Triggers ● Solid state relays ● Current regulators | IXYS 艾赛斯 |   | |
IXTP02N50D | High Voltage Power MOSFET 文件：213.74 Kbytes Page：4 Pages | IXYS 艾赛斯 | | |
IXTP02N50D | N沟道耗尽型MOSFET | Littelfuse 力特 | | |
High Voltage MOSFET N-Channel, Depletion Mode Features ● Normally ON mode ● Low RDS(on) HDMOSTM process ● Rugged polysilicon gate cell structure ● Fast switching speed Applications ● Level shifting ● Triggers ● Solid state relays ● Current regulators | IXYS 艾赛斯 | | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：141.36 Kbytes Page：3 Pages | UTC 友顺 | | ||
High Voltage Power MOSFET 文件：213.74 Kbytes Page：4 Pages | IXYS 艾赛斯 | |
IXTP02N50D产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXTP02N50D
- 功能描述
MOSFET 0.2 Amps 500V 30 Rds
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
23+ |
TO220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
IXYS/LITTELFUSE |
2004 |
TO-220 |
15800 |
全新原装正品现货直销 |
|||
IXYS |
24+ |
TO220 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-TO-220 |
83307 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
24+ |
N/A |
69000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
2447 |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
JD/晶导 |
23+ |
SMA(DO-214AC) |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
|||
IXYS/艾赛斯 |
21+ |
TO-220 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
17+ |
TO-220 |
31518 |
原装正品 可含税交易 |
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瀚佳科技： 专业销售集成电路IC.单片.内存闪存.二三级管模块等电子元器件.欢迎询价购买。
2018-12-28
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