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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IXFK34N80

HiPerFETPowerMOSFETs

HiPerFETPowerMOSFETs SingleMOSFETDie AvalancheRated Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect •Fastintrin

IXYS

IXYS Corporation

IXYS
IXFK34N80

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=34A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.24Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IXFR34N80

SingleMOSFETDieAvalancheRated

HiPerFET™PowerMOSFETsISOPLUS247™(ElectricallyIsolatedBackside) SingleMOSFETDie AvalancheRated Features •SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation •Lowdraintotabcapacitance(

IXYS

IXYS Corporation

IXYS
IXFX34N80

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=34A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.24Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IXFN34N80

HiPerFETTMPowerMOSFETsSingleDieMOSFET

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IXYS

IXYS Corporation

IXYS

IXTK34N80供应商更多...

更新时间：2025-8-1 11:10:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司
IXFR34N80
IXYS/艾赛斯
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深圳市威尔健半导体有限公司
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京海半导体(深圳)有限公司
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