位置：首页 > IC中文资料第450页 > IXTK250N10
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IXTK250N10 | High Current MegaMOSFET 文件：69.29 Kbytes Page：2 Pages | IXYS 艾赛斯 |   | |
IXTK250N10 | isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：295.11 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | |
IXTK250N10 | N-Channel: Standard Power MOSFETs | Littelfuse 力特 | | |
N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 250A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 6.5mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · Switch Mode Power Supply (SMPS) · Uninterruptible Power Supply (UPS) · AC Motor Drives · DC-DC Converters | ISC 无锡固电 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID=250A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =6.5mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con | ISC 无锡固电 | | ||
High Dense Cell Design 文件：252.02 Kbytes Page：7 Pages | SEMIHOW | | ||
Polar HiPerFET Power MOSFET 文件：140.45 Kbytes Page：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | | ||
Polar HiPerFET Power MOSFET 文件：140.45 Kbytes Page：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | |
IXTK250N10产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXTK250N10
- 功能描述
MOSFET 250 Amps 100V 0.005 Rds
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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IXYS/艾赛斯 |
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TO-264 |
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IXYS |
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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IXYS |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
IXTK250N10规格书下载地址
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2023-5-24IXTH60N20X4
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2022-6-9IXTA3N120承诺百分之百原装
瀚佳科技： 专业销售集成电路IC.单片.内存闪存.二三级管模块等电子元器件.欢迎询价购买。
2018-12-28
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