位置：首页 > IC中文资料第3713页 > IXFX250N10
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IXFX250N10 | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID=250A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =6.5mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con | ISC 无锡固电 |   | |
Polar HiPerFET Power MOSFET 文件：140.45 Kbytes Page：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | | ||
N通道HiPerFET MOSFET | Littelfuse 力特 | | ||
N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 250A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 6.5mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · Switch Mode Power Supply (SMPS) · Uninterruptible Power Supply (UPS) · AC Motor Drives · DC-DC Converters | ISC 无锡固电 | | ||
High Dense Cell Design 文件：252.02 Kbytes Page：7 Pages | SEMIHOW | | ||
Polar HiPerFET Power MOSFET 文件：140.45 Kbytes Page：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | |
IXFX250N10产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXFX250N10
- 功能描述
MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXY |
05+ |
TO-247 |
1500 |
原装进口 |
|||
IXYS |
24+ |
TO-247 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
|||
IXYS |
22+ |
TO2473 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
|||
IXYS |
25+ |
PLUS247 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
IXYS/LITTELFUSE |
1947 |
TO-247 |
15800 |
全新原装正品现货直销 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-264 |
2000000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
24+ |
N/A |
64000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-247 PLUS |
59620 |
原装正品 华强现货 |
|||
IXYS |
25+ |
TO-247 |
326 |
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IXFN300N10P
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2022-12-7IXFT60N60X3HV
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2022-8-11IXFP22N65X2M
原装正品现货
2022-7-19IXGH60N60C3D1
IXGH60N60C3D1，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-12-2IXOLAR?高效25％SolarMD模块SM111K04L
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2019-9-17
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