IXTK20N150价格

参考价格:¥168.0144

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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IXTK20N150

HighVoltagePowerMOSFETExtendedFBSOA

文件:148.52 Kbytes Page:5 Pages

IXYS

IXYS Corporation

IXYS

N-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.0Ω(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·SwitchModePowerSupply(SMPS) ·UninterruptiblePowerSupply(UPS) ·PulseCircuits ·HighVoltagePowerSupplies

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

150V,20ACommon-CathodeDiode

GeneralDescription ThisdevicehasthelowestQRRofany150V Silicondiode.Itsrecoverycharacteristics increaseefficiency,reduceEMIandeliminate snubbers. Applications AC/DCandDC/DCoutputrectification Outputandfreewheelingdiodes Motordrivecircuits DC-ACinverters

POWERINTPower Integrations, Inc.

荷兰帕沃英蒂格盛有限公司

POWERINT

N-ChannelSuperTrenchPowerMOSFET

GeneralFeatures ●VDS=150V,ID=20A RDS(ON)=59mΩ(typical)@VGS=10V ●ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ●Verylowon-resistanceRDS(on) ●175°Coperatingtemperature ●Pb-freeleadplating ●100%UIStested

RECTRON

Rectron Semiconductor

RECTRON

HighVoltagePowerMOSFETExtendedFBSOA

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IXYS

IXYS Corporation

IXYS

IXTK20N150产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXTK20N150

  • 功能描述

    MOSFET 1200V High Voltage Power MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-7-26 12:25:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS(艾赛斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾赛斯)全系列在售
IXYS/艾赛斯
23+
TO-264
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
24+
N/A
57000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
IXYS/艾赛斯
23+
TO-264
50000
全新原装正品现货,支持订货
IXYS/艾赛斯
22+
TO-264
25000
只做原装进口现货,专注配单
IXYS
22+
TO2643 TO264AA
9000
原厂渠道,现货配单
Littelfuse/IXYS
24+
TO-264
7810
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
IXYS/艾赛斯
21+
TO264
10000
原装现货假一罚十
IXYS/艾赛斯
2450+
TOP264-3
9485
只做原装正品现货或订货假一赔十!
IXYS
23+
TO-264
50000
全新原装正品现货,支持订货

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