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HIPERFET Power MOSFTETs

HiPerFETs The hIPerFET family of Power MOSFETs is designed to provice superior dv/dt, performance while eliminating the need for discrete, fase recovery free wheeling rectifiers In a board range of power switching applications.

IXYS

IXYS Corporation

IXYS

HiPerFET Power MOSFETs

HiPerFETs The hIPerFET family of Power MOSFETs is designed to provice superior dv/dt, performance while eliminating the need for discrete, fase recovery free wheeling rectifiers In a board range of power switching applications.

IXYS

IXYS Corporation

IXYS

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 35A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 300V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 100mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

HiPerFET Power MOSFETs

HiPerFETs The hIPerFET family of Power MOSFETs is designed to provice superior dv/dt, performance while eliminating the need for discrete, fase recovery free wheeling rectifiers In a board range of power switching applications.

IXYS

IXYS Corporation

IXYS

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:251.32 Kbytes Page:4 Pages

DACO

DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD.

DACO
更新时间:2025-8-6 8:31:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
17+
TO-3P
6200
IXYS/艾赛斯
23+
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当天发货全新原装现货
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只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
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IXYS/艾赛斯
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TO-247
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原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种

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    IXDP610数字脉宽调制器(DPWM)是一个可编程CMOS LSI器件接收数字从一个微处理器的脉冲宽度数据并生成两个相辅相成的,非重叠,脉冲宽度调制直接数字控制信号开关电源的桥梁。 DPWM是根据操作直接控制的微处理器和与大多数标准的接口,轻松微处理器和微型计算机巴士。 IXDP610封装在18引脚超薄的DP。所产生的PWM波形IXDP610从比较的结果输出的脉冲宽度计数器在脉冲宽度存储的电话号码锁存(见下文)。一个可编程“死时间”已被纳入PWM波形。死区时间逻辑禁用在每两个输出比较器输出的过渡所需的死区时间间隔。输出级提供互补PWM输出信号的能力下沉和采购20毫安的TTL电压水平。输出禁用

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