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IXTH180N085T	iscN-ChannelMOSFETTransistor 文件：383.5 Kbytes Page：2 Pages	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IXTH180N085T	N-ChannelEnhancementMode 文件：209.37 Kbytes Page：5 Pages	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXFK180N085	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFETPowerMOSFETs SingleMOSFETDie Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect •Fastintrinsicrectifier Ap	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXFR180N085	HiPerFET-TMPowerMOSFETsISOPLUS247-TM(ElectricallyIsolatedBackSurface) HiPerFET™PowerMOSFETsISOPLUS247™(ElectricallyIsolatedBackSurface) SingleMOSFETDie Features •SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation •Lowdraintotabcapacitance(	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXFR180N085	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=180A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=85V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=7mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IXFX180N085	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFETPowerMOSFETs SingleMOSFETDie Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect •Fastintrinsicrectifier Ap	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXFX180N085	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=180A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=85V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=7mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconve	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

IXTH180N085T产品属性

类型
描述
型号
IXTH180N085T
功能描述
MOSFET 180 Amps 85V 5.5 Rds
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
安装风格
Through Hole
封装/箱体
Max247
封装
Tube

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更新时间：2024-6-16 11:36:00

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深圳市威尔健半导体有限公司	IXTH180N10T	IXYS/艾赛斯	23+	TO-247	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市星辰微电科技有限公司	IXTH180N10T	IXYS(艾赛斯)	23+	N/A	7500	IXYS(艾赛斯)全系列在售	询价
中科航电(深圳)半导体技术有限公司	IXTH180N10T	IXYS	2019+	TO-247-3	65500	原装正品货到付款,价格优势!	询价
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