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Standard Power MOSFET

Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Features • International Standard Packages • Low RDS (on) HDMOSTM Process • Rugged Polysilicon Gate Cell Structure • Avalanche Rated • Low Package Inductance - Easy to Drive and to Protect Advantages • Easy to Mount • Space Savings

IXYS

艾赛斯

Power MOSFETs

Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Features • International Standard Packages • Low RDS (on) HDMOSTM Process • Rugged Polysilicon Gate Cell Structure • Avalanche Rated • Low Package Inductance - Easy to Drive and to Protect Advantages • Easy to Mount • Space Savings

IXYS

艾赛斯

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Infineon

英飞凌

更新时间:2025-12-16 15:15:01
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