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IXTH10P60中文资料

厂家型号

IXTH10P60

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70.05Kbytes

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2

功能描述

Standard Power MOSFET

MOSFET -10 Amps -600V 1 Rds

数据手册

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生产厂商

IXYS

IXTH10P60数据手册规格书PDF详情

Power MOSFETs

P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

Features

• International Standard Packages

• Low RDS (on) HDMOSTM Process

• Rugged Polysilicon Gate Cell Structure

• Avalanche Rated

• Low Package Inductance - Easy to Drive and to Protect

Advantages

• Easy to Mount

• Space Savings

• High Power Density

Applications

• High-Side Switching

• Push Pull Amplifiers

• DC Choppers

• Automatic Test Equipment

IXTH10P60产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXTH10P60

  • 功能描述

    MOSFET -10 Amps -600V 1 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-30 15:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
24+
TO-247AD
409
IXYS
23+
TO-247
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IXYS
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IXYS
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IXYS
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IXYS
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IXYS
25+
TO-247
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
IXYS/艾赛斯
TO-247
60000
全新、原装

IXTH10P60 价格

参考价格:¥30.0849

型号:IXTH10P60 品牌:IXYS 备注:这里有IXTH10P60多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IXTH10P60批发/采购报价,IXTH10P60行情走势销售排排榜,IXTH10P60报价。