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IXTA72N20T

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 包装:管件 描述:MOSFET N-CH 200V 72A TO263 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

IXYS

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 72A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 35mΩ(Max) ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Switching applications

ISC

无锡固电

HiPerFET Power MOSFETs

HiPerFET Power MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr Features • International standard packages • Molding epoxies meet UL94V-0 flammability classification • Low RDS (on) HDMOSTM process • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated • Fast intrinsic rectifier

IXYS

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

N-Channel Enhancement Mode

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IXYS

更新时间:2025-8-12 9:24:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
25+
TO-263
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独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
IXYS
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IXYS(艾赛斯)全系列在售
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原装正品 华强现货
IXYS
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保证进口原装可开17%增值税发票
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TO263
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