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IXSK35N120BD1

HIGH VOLTAGE IGBT WITH DIODE

High Voltage IGBT with Diode Short Circuit SOA Capability Applications ● AC motor speed control ● DC servo and robot drives ● DC chopper ● Uninterruptible power supplies (UPS) ● Switch-mode and resonant-mode power supplies

IXYS

艾赛斯

IXSK35N120BD1

封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA 包装:管件 描述:IGBT 1200V 70A 300W TO264 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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艾赛斯

High Voltage IGBT with Diode

High Voltage IGBT with Diode (Electrically Isolated Back Surface) Features • Silicon chip on DCB substrate - High power dissipation - Isolated mounting surface - 2500V electrical isolation • IGBT and anti-parallel FRED for resonant power supplies - Induction heating - R

IXYS

艾赛斯

HiPerFAST IGBT

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艾赛斯

High Voltage IGBT with Diode

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HiPerFAST IGBT

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IXYS

艾赛斯

IXSK35N120BD1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXSK35N120BD1

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 70 Amps 1200V 3.6 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-14 20:21:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
21+
TO-264
10000
原装现货假一罚十
IXYS
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原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
IXYS/艾赛斯
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TO-264
31518
原装正品 可含税交易
IXYS
2015
模块
300
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