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IXGR35N120BD1中文资料
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High Voltage IGBT with Diode (Electrically Isolated Back Surface)
Features
• Silicon chip on DCB substrate
- High power dissipation
- Isolated mounting surface
- 2500V electrical isolation
• IGBT and anti-parallel FRED for resonant power supplies
- Induction heating
- Rice cookers
• MOS Gate turn-on
- drive simplicity
• Fast Recovery Expitaxial Diode (FRED)
- soft recovery with low IRM
Advantages
• Saves space (two devices in one package)
• Easy to mount
• Reduces assembly time and cost
IXGR35N120BD1产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXGR35N120BD1
- 功能描述
IGBT 晶体管 23 Amps 1200V 3.7 Rds
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
1809+ |
TO-247 |
326 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
IXYS |
22+ |
ISOPLUS247? |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
IXYS |
25+ |
TO-247-3 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
ISOPLUS247 |
6000 |
原装正品，支持实单 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
22+ |
ISOPLUS247 |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
|||
IXYS |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
MODULE |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
IXGR35N120BD1 价格
参考价格：￥39.5842
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- P100
- P101
- P102
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IXYS Corporation
中文资料: 8734条
IXYS Corporation是一家知名的半导体公司，成立于1983年，总部位于美国加利福尼亚州。IXYS专注于开发和制造高性能的功率半导体和集成电路，广泛应用于电力电子、工业控制、通信、可再生能源和汽车等领域。 公司以其丰富的产品线而闻名，包括可控硅、IGBT（绝缘栅双极晶体管）、MOSFET（金属氧化物场效应管）、高压二极管和电力模块等。这些产品以高效能、可靠性和先进的技术设计为特点，帮助客户提升系统的性能和能源效率。 IXYS始终重视研发，致力于推动功率电子技术的前沿。通过不断的创新和改进，IXYS能够满足不同行业对高性能和高效率电源解决方案的需求。此外，公司还提供全面的技术支持和服务
