型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IXGQ35N120BD1

HighVoltageIGBTwithDiode

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IXYS

IXYS Corporation

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IXGQ35N120BD1

封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 包装:管件 描述:IGBT 1200V 75A 400W TO3P 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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HighVoltageIGBTwithDiode

HighVoltageIGBTwithDiode(ElectricallyIsolatedBackSurface) Features •SiliconchiponDCBsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation •IGBTandanti-parallelFREDforresonantpowersupplies -Inductionheating -R

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HIGHVOLTAGEIGBTWITHDIODE

HighVoltageIGBTwithDiode ShortCircuitSOACapability Applications ●ACmotorspeedcontrol ●DCservoandrobotdrives ●DCchopper ●Uninterruptiblepowersupplies(UPS) ●Switch-modeandresonant-modepowersupplies

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HiPerFASTIGBT

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IXGQ35N120BD1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGQ35N120BD1

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 35 Amps 1200 V 3.3 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-10-31 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
2020+
TO-3P
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
IXYS/艾赛斯
22+
TO-3P
12245
现货,原厂原装假一罚十!
IXYS/艾赛斯
23+
TO-3P
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
IXYS/艾赛斯
22+
TO-3P
50000
只做原装正品,假一罚十,欢迎咨询
IXYS
20+
TO-3P
36500
原装现货/放心购买
IXYS
22+
TO3P
9000
原厂渠道,现货配单
IXYS
21+
TO3P
13880
公司只售原装,支持实单
IXYS/艾赛斯
22+
TO-3P
25000
只做原装进口现货,专注配单
IXYS/艾赛斯
23+
TO-3P
10000
公司只做原装正品
IXYS
1923+
TO-3P
8900
公司原装现货特价长期供货欢迎来电咨询

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