位置：首页 > IC中文资料第119页 > IXSH40N60B
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IXSH40N60B | High Speed IGBT Short Circuit SOA Capability. 40N60, 40N60A | IXYS |   | |
IXSH40N60B | 封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：IGBT 600V 75A 280W TO247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | IXYS | | |
封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：IGBT 600V 48A TO247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | IXYS | | ||
Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT Short Circuit SOA Capability. 40N60, 40N60A | IXYS | | ||
40A, 600V FIELD STOP IGBT DESCRIPTION SGT40N60NPFDPN using Field Stop IGBT technology, offer the optimum performance for induction Heating, UPS, SMPS and PFC application. FEATURES 40A, 600V, VCE(sat)(typ.)=1.8V@IC=40A Low conduction loss Fast switching High input impedance | SILAN 士兰微 | | ||
IGBT 文件：247.74 Kbytes Page：9 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Super Junction FREDFET 文件：191.93 Kbytes Page：5 Pages | ADPOW | | ||
Super Junction FREDFET 文件：317.04 Kbytes Page：5 Pages | Microsemi 美高森美 | |
IXSH40N60B产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXSH40N60B
- 功能描述
IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.2 Rds
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
23+ |
TO247 |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
|||
IXS |
TO-3P |
938 |
优势库存 |
||||
IXYS |
22+ |
TO247AD (IXSH) |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
IXYS |
25+ |
TO-247-3 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-247 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
IXYS |
24+ |
TO-247 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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IXYS |
20+ |
TO-247 |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
22+ |
TO-247 |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
|||
IXYS |
0522+ |
TO247 |
86 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
IXYS |
24+ |
TO-247 |
8866 |
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2018-12-28IXPD610-工业控制IC
IXDP610数字脉宽调制器（DPWM）是一个可编程CMOS LSI器件接收数字从一个微处理器的脉冲宽度数据并生成两个相辅相成的，非重叠，脉冲宽度调制直接数字控制信号开关电源的桥梁。 DPWM是根据操作直接控制的微处理器和与大多数标准的接口，轻松微处理器和微型计算机巴士。 IXDP610封装在18引脚超薄的DP。所产生的PWM波形IXDP610从比较的结果输出的脉冲宽度计数器在脉冲宽度存储的电话号码锁存（见下文）。一个可编程“死时间”已被纳入PWM波形。死区时间逻辑禁用在每两个输出比较器输出的过渡所需的死区时间间隔。输出级提供互补PWM输出信号的能力下沉和采购20毫安的TTL电压水平。输出禁用
2012-11-29
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