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IXKC20N60C	CoolMOSPowerMOSFETinISOPLUS220Package CoolMOS™PowerMOSFETinISOPLUS220™Package ElectricallyIsolatedBackSurface N-ChannelEnhancementMode LowRDS(on),SuperjunctionMOSFET Features •SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation •	IXYS IXYS Corporation
IXKC20N60C	iscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •Highpowerdissipation •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤190mΩ@VGS=10V •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation •APPLICATION •DC/DCConverters •HighCurrentSwitchingApplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
20N60	20A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET ■DESCRIPTION TheUTC20N60isanN-channelenhancementmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyisspecializedinallowingaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstand	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司
20N60B	HiPerFASTIGBT VCES=600V IC25=40A VCE(sat)typ=1.7V tfi(typ)=100ns Features •InternationalstandardpackagesJEDECTO-268surfacemountableandJEDECTO-247AD •Highcurrenthandlingcapability •LatestgenerationHDMOSTMprocess •MOSGateturn-on -drivesimplicity	IXYS IXYS Corporation
20N60	FastSwitching 文件：95.42 Kbytes Page：2 Pages	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
20N60	N-Channel650-V(D-S)SuperJunctionMOSFET 文件：1.15549 Mbytes Page：11 Pages	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
20N60A	20A600VN-channelenhancedfieldeffecttransistor 文件：833.85 Kbytes Page：6 Pages	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司

IXKC20N60C产品属性

类型
描述
型号
IXKC20N60C
功能描述
MOSFET 14 Amps 600V 0.19 Rds
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
安装风格
Through Hole
封装/箱体
Max247
封装
Tube

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更新时间：2025-5-1 16:30:00

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