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IXKC20N60C中文资料

厂家型号

IXKC20N60C

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2

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

MOSFET 14 Amps 600V 0.19 Rds

数据手册

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生产厂商

ISC

IXKC20N60C数据手册规格书PDF详情

• FEATURES

• High power dissipation

• Static drain-source on-resistance:

RDS(on) ≤ 190mΩ@VGS=10V

• 100 avalanche tested

• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

• APPLICATION

• DC/DC Converters

• High Current Switching Applications

IXKC20N60C产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXKC20N60C

  • 功能描述

    MOSFET 14 Amps 600V 0.19 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-31 10:51:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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