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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IXGQ90N33TC | Trench Gate, High Speed, IGBTs Trench Gate, High Speed, IGBTs For PDP Applications Features • Low VCE(sat) - for minimum On-State Conduction Losses • Fast Switching Applications • PDP Screen Drivers | IXYS 艾赛斯 |   | |
IXGQ90N33TC | 封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3 包装：管件 描述：IGBT 330V 90A 200W TO3P 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | IXYS 艾赛斯 | | |
IXGQ90N33TC | IGBT 330V 90A 200W TO3P | Littelfuse 力特 | | |
Trench Gate, High Speed, IGBTs Trench Gate, High Speed, IGBTs For PDP Applications Features • Low VCE(sat) - for minimum On-State Conduction Losses • Fast Switching Applications • PDP Screen Drivers | IXYS 艾赛斯 | | ||
封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3 包装：管件 描述：IGBT 330V 90A 200W TO3P 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | IXYS 艾赛斯 | | ||
IGBT 330V 90A 200W TO3P | Littelfuse 力特 | | ||
330V, 90A PDP Trench IGBT General Description Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchild’s new series of trench IGBTs offer the optimum performance for PDP applications where low conduction and switching losses areessential. Features • High current capability • Low saturation voltage: VCE(sat) =1.1V @ IC= | Fairchild 仙童半导体 | | ||
330V, 90A PDP Trench IGBT General Description Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchild’s new series of trench IGBTs offer the optimum performance for PDP applications where low conduction and switching losses areessential. Features • High current capability • Low saturation voltage: VCE(sat) =1.1V @ IC= | Fairchild 仙童半导体 | | ||
330V, 90A PDP Trench IGBT General Description Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchild’s new series of trench IGBTs offer the optimum performance for PDP applications where low conduction and switching losses areessential. Features • High current capability • Low saturation voltage: VCE(sat) =1.1V @ IC= | Fairchild 仙童半导体 | | ||
Trench Gate, High Speed, IGBTs Trench Gate, High Speed, IGBTs For PDP Applications Features • Low VCE(sat) - for minimum On-State Conduction Losses • Fast Switching Applications • PDP Screen Drivers | IXYS 艾赛斯 | | ||
330V, 90A PDP Trench IGBT 文件：655.18 Kbytes Page：8 Pages | Fairchild 仙童半导体 | |
IXGQ90N33TC产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXGQ90N33TC
- 功能描述
IGBT 晶体管 TRENCH IGBTS 330V 360A
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
1932+ |
TO-3P |
318 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
IXYS |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
IXYS/艾赛斯 |
2021+ |
TO-3P |
9000 |
原装现货,随时欢迎询价 |
|||
IXYS |
25+ |
TO-247 |
120 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
IXYS |
24+ |
TO-3P |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
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IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-3P |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
原装正品 |
23+ |
TO-3P |
70804 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO3P |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
IXYS |
22+ |
TO3P |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
IXYS |
23+24 |
TO-3P |
16880 |
专业经营各种场效应管、三极管、IGBT、可控硅、稳压IC |
IXGQ90N33TC规格书下载地址
IXGQ90N33TC参数引脚图相关
- l234
- l101
- l100
- ku波段
- kt250
- kse13005
- ks20
- km710
- ka5q1265rf
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- jumper
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- jk触发器
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IXGQ90N33TC数据表相关新闻
IXFT60N60X3HV
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2022-8-11IXFP22N65X2M
原装正品现货
2022-7-19IXGH60N60C3D1
IXGH60N60C3D1，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-12-2IXOLAR?高效25％SolarMD模块SM111K04L
IXYS / Littelfuse的SolarMD模块非常适合为许多类型的电池供电或绿色电力产品充电
2019-9-17IXOLAR?高效25％SolarBIT太阳能电池KXOB25-12X1F
IXYS / Littelfuse的SolarBIT非常适合为许多类型的电池供电的电网产品充电
2019-9-17IXPD610-工业控制IC
IXDP610数字脉宽调制器（DPWM）是一个可编程CMOS LSI器件接收数字从一个微处理器的脉冲宽度数据并生成两个相辅相成的，非重叠，脉冲宽度调制直接数字控制信号开关电源的桥梁。 DPWM是根据操作直接控制的微处理器和与大多数标准的接口，轻松微处理器和微型计算机巴士。 IXDP610封装在18引脚超薄的DP。所产生的PWM波形IXDP610从比较的结果输出的脉冲宽度计数器在脉冲宽度存储的电话号码锁存（见下文）。一个可编程“死时间”已被纳入PWM波形。死区时间逻辑禁用在每两个输出比较器输出的过渡所需的死区时间间隔。输出级提供互补PWM输出信号的能力下沉和采购20毫安的TTL电压水平。输出禁用
2012-11-29
DdatasheetPDF页码索引
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