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IXGQ90N33TCD1中文资料

厂家型号

IXGQ90N33TCD1

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5

功能描述

Trench Gate, High Speed, IGBTs

IGBT 晶体管 G-series A,B,C

数据手册

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生产厂商

IXYS

IXGQ90N33TCD1数据手册规格书PDF详情

Trench Gate, High Speed, IGBTs

For PDP Applications

Features

• Low VCE(sat)

- for minimum On-State Conduction Losses

• Fast Switching

Applications

• PDP Screen Drivers

IXGQ90N33TCD1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGQ90N33TCD1

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 G-series A,B,C

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-23 14:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
2021+
TO-3P
9000
原装现货,随时欢迎询价
IXYS/艾赛斯
24+
TO3P
161761
明嘉莱只做原装正品现货
IXYS
25+
TO-247
120
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
IXYS
24+
TO3P
5000
只做原装公司现货
IXYS
20+
TO-3P
38900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
IXYS
22+
TO3P
9000
原厂渠道,现货配单
IXYS
1932+
TO-3P
318
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
IXYS
TO-247
8080
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
IXYS
23+
TO-3P
8000
只做原装现货
IXYS
23+24
TO-3P
16880
专业经营各种场效应管、三极管、IGBT、可控硅、稳压IC