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IXGH40N60A

Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT

Features International standard packages 2nd generation HDMOS™ process Low VCE(sat) - for low on-state conduction losses High current handling capability MOS Gate turn-on - drive simplicity Voltage rating guaranteed at high temperature (125°C) Applications AC mo

IXYS

艾赛斯

IXGH40N60A

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 75A 250W TO247AD 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

艾赛斯

IXGH40N60A

IGBT 600V 75A 250W TO247AD

LITTELFUSE

力特

IGBT 600V TO-247

LITTELFUSE

力特

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 600V TO-247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

艾赛斯

Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT

Short Circuit SOA Capability. 40N60, 40N60A

IXYS

艾赛斯

40A, 600V FIELD STOP IGBT

DESCRIPTION SGT40N60NPFDPN using Field Stop IGBT technology, offer the optimum performance for induction Heating, UPS, SMPS and PFC application. FEATURES 40A, 600V, VCE(sat)(typ.)=1.8V@IC=40A Low conduction loss Fast switching High input impedance

SILAN

士兰微

IGBT

文件:247.74 Kbytes Page:9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

Super Junction FREDFET

文件:191.93 Kbytes Page:5 Pages

ADPOW

Super Junction FREDFET

文件:317.04 Kbytes Page:5 Pages

MICROSEMI

美高森美

IXGH40N60A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGH40N60A

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 40 Amps 600V 3 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-27 17:38:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
26+
TO-247
12000
原装,正品
IXYS
25+
TO-3
3000
全新原装、诚信经营、公司现货销售
IXYS
24+
TO-247
5000
全新原装正品,现货销售
IXYS
22+
TO247AD (IXGH)
9000
原厂渠道,现货配单
IXYS
23+
TO247
8000
只做原装现货
IXYS
23+
TO247
7000
IXYS
22+
TO-247
20000
公司只做原装 品质保障
IXYS
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IXYS
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独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
IXYS/艾赛斯
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