IXGH20N60价格

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型号:IXGH20N60BD1 品牌:IXYS 备注:这里有IXGH20N60多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IXGH20N60批发/采购报价,IXGH20N60行情走势销售排行榜,IXGH20N60报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IXGH20N60

Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT

Low VCE(sat) IGBT High speed IGBT Features l International standard packages l 2nd generation HDMOSTM process l Low VCE(sat) - for low on-state conduction losses l High current handling capability l MOS Gate turn-on - drive simplicity l Voltage rating guaranteed at

IXYS

艾赛斯

IXGH20N60

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 40A 150W TO247AD 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

艾赛斯

Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT

Low VCE(sat) IGBT High speed IGBT Features l International standard packages l 2nd generation HDMOSTM process l Low VCE(sat) - for low on-state conduction losses l High current handling capability l MOS Gate turn-on - drive simplicity l Voltage rating guaranteed at

IXYS

艾赛斯

HiPerFAST IGBT

VCES = 600 V IC25 = 40 A VCE(sat)typ = 1.7 V tfi(typ) = 100 ns Features • International standard packages JEDEC TO-268 surface mountable and JEDEC TO-247 AD • High current handling capability • Latest generation HDMOSTM process • MOS Gate turn-on - drive simplicity

IXYS

艾赛斯

HiPerFAST IGBT with Diode

VCES = 600 V IC25 = 40 A VCE(sat)typ = 1.7 V tfi(typ) = 100 ns Features • International standard packages • High frequency IGBT and antiparallel FRED in one package • High current handling capability • HiPerFASTTM HDMOSTM process • MOS Gate turn-on -drive simplicity Applications • Unin

IXYS

艾赛斯

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 40A 150W TO247AD 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

艾赛斯

IGBT 600V 40A 150W TO247AD

Littelfuse

力特

PT IGBTs

Littelfuse

力特

PT IGBTs

Littelfuse

力特

20A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

■ DESCRIPTION The UTC 20N60 is an N-channel enhancement mode power MOSFET using UTC’s advanced technology to provide customers with planar stripe and DMOS technology. This technology is specialized in allowing a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withstand

UTC

友顺

HiPerFAST IGBT

VCES = 600 V IC25 = 40 A VCE(sat)typ = 1.7 V tfi(typ) = 100 ns Features • International standard packages JEDEC TO-268 surface mountable and JEDEC TO-247 AD • High current handling capability • Latest generation HDMOSTM process • MOS Gate turn-on - drive simplicity

IXYS

艾赛斯

Fast Switching

文件:95.42 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

N-Channel 650-V (D-S) Super Junction MOSFET

文件:1.15549 Mbytes Page:11 Pages

VBSEMI

微碧半导体

20A 600V N-channel enhanced field effect transistor

文件:833.85 Kbytes Page:6 Pages

YFWDIODE

佑风微

IXGH20N60产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGH20N60

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 LOW V IGBT 600V 40A

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-4 14:14:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
20+
TO-247
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
IXYS
23+
TO-3P
63828
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
IXYS
9606+
TO-247
6
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
IXYS/艾赛斯
17+
TO-247
31518
原装正品 可含税交易
IXYS/艾赛斯
19+
MODULE
1290
主打模块,大量现货供应商QQ2355605126
IXYS
24+
TO-247AD-3
8866
IXYS/艾赛斯
24+
TO-247
60000
IXYS/艾赛斯
24+
TO-3P
47186
郑重承诺只做原装进口现货
IXYS
23+
TO-247
50000
全新原装正品现货,支持订货
IXYS/艾赛斯
23+
MODULE
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种

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