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IXGH20N60AU1

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 40A 150W TO247AD 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

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LowVCE(sat)IGBTwithDiode,HighSpeedIGBTwithDiode

CombiPacks ShortCircuitSOACapability Features ●Internationalstandardpackage JEDECTO-247AD ●HighfrequencyIGBTwith guaranteed ShortCircuitSOAcapability ●IGBTandanti-parallelFREDinone package ●2ndgenerationHDMOSTMprocess ●LowVCE(sat) -forlowon

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IXGH20N60AU1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGH20N60AU1

  • 功能描述

    MOSFET 40 Amps 600V 3.0 V Rds

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-11 13:35:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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