型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IXGH10N170A

High Voltage IGBT

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IXYS

艾赛斯

IXGH10N170A

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 1700V 10A 140W TO247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

艾赛斯

IXGH10N170A

NPT 高电压IGBT

Littelfuse

力特

High Voltage IGBT

文件:195.04 Kbytes Page:5 Pages

IXYS

艾赛斯

High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor

Features ● High Blocking Voltage ● JEDEC TO-268 surface and JEDEC TO-247 AD ● Low conduction losses ● High current handling capability ● MOS Gate turn-on - drive simplicity ● Molding epoxies meet UL 94 V-0 flammability classification Applications ● AC motor speed control ● Uninterrupt

IXYS

艾赛斯

High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor

Features ● High Blocking Voltage ● JEDEC TO-268 surface and JEDEC TO-247 AD ● Low conduction losses ● High current handling capability ● MOS Gate turn-on - drive simplicity ● Molding epoxies meet UL 94 V-0 flammability classification Applications ● AC motor speed control ● Uninterrupt

IXYS

艾赛斯

High Voltage IGBT

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IXYS

艾赛斯

IXGH10N170A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGH10N170A

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 20 Amps 1700 V 7 V Rds

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-2 19:09:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
24+
TO-3P
990000
明嘉莱只做原装正品现货
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TO-247
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原装正品 可含税交易
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