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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IXGH10N170A | High Voltage IGBT 文件：571.44 Kbytes Page：5 Pages | IXYS 艾赛斯 |   | |
IXGH10N170A | 封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：IGBT 1700V 10A 140W TO247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | IXYS 艾赛斯 | | |
High Voltage IGBT 文件：195.04 Kbytes Page：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | | ||
High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor Features ● High Blocking Voltage ● JEDEC TO-268 surface and JEDEC TO-247 AD ● Low conduction losses ● High current handling capability ● MOS Gate turn-on - drive simplicity ● Molding epoxies meet UL 94 V-0 flammability classification Applications ● AC motor speed control ● Uninterrupt | IXYS 艾赛斯 | | ||
High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor Features ● High Blocking Voltage ● JEDEC TO-268 surface and JEDEC TO-247 AD ● Low conduction losses ● High current handling capability ● MOS Gate turn-on - drive simplicity ● Molding epoxies meet UL 94 V-0 flammability classification Applications ● AC motor speed control ● Uninterrupt | IXYS 艾赛斯 | | ||
High Voltage IGBT 文件：195.04 Kbytes Page：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | |
IXGH10N170A产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXGH10N170A
- 功能描述
IGBT 晶体管 20 Amps 1700 V 7 V Rds
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
24+ |
TO-247 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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IXYS |
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TO-247 |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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IXYS/艾赛斯 |
22+ |
PMPAK-5X6 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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IXYS/艾赛斯 |
25+ |
TO-3P |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
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IXYS/艾赛斯 |
24+ |
TO-3P |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
PMPAK-5X6 |
15 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
IXYS |
1505 |
13 |
公司优势库存 热卖中! |
||||
IXYS |
24+ |
TO-247 |
8866 |
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IXYS/艾赛斯 |
2447 |
TO-247 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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IXYS |
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TO247 |
7000 |
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IXGH60N60C3D1，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
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