IXGH10N170价格

参考价格:¥21.0662

型号:IXGH10N170 品牌:Ixys 备注:这里有IXGH10N170多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IXGH10N170批发/采购报价,IXGH10N170行情走势销售排行榜,IXGH10N170报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IXGH10N170

High Voltage IGBT

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IXYS

艾赛斯

IXGH10N170

封装/外壳:TO-247-3 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:IGBT 1700V 20A 110W TO247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

艾赛斯

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 1700V 10A 140W TO247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

艾赛斯

High Voltage IGBT

文件:571.44 Kbytes Page:5 Pages

IXYS

艾赛斯

High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor

Features ● High Blocking Voltage ● JEDEC TO-268 surface and JEDEC TO-247 AD ● Low conduction losses ● High current handling capability ● MOS Gate turn-on - drive simplicity ● Molding epoxies meet UL 94 V-0 flammability classification Applications ● AC motor speed control ● Uninterrupt

IXYS

艾赛斯

High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor

Features ● High Blocking Voltage ● JEDEC TO-268 surface and JEDEC TO-247 AD ● Low conduction losses ● High current handling capability ● MOS Gate turn-on - drive simplicity ● Molding epoxies meet UL 94 V-0 flammability classification Applications ● AC motor speed control ● Uninterrupt

IXYS

艾赛斯

High Voltage IGBT

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IXYS

艾赛斯

IXGH10N170产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGH10N170

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 20 Amps 1700 V 4 V Rds

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-17 22:28:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
1822+
TO-247
9852
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
IXYS/艾赛斯
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PMPAK-5X6
100000
代理渠道/只做原装/可含税
IXYS/艾赛斯
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PMPAK-5X6
15
只做原厂渠道 可追溯货源
IXYS
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TO-247
8866
IXYS/艾赛斯
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TO-247
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一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
IXYS/艾赛斯
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TO-247
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只做原装进口现货,专注配单
IXYS
23+
TO247
7000
IXYS/艾赛斯
17+
TO-247
31518
原装正品 可含税交易
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N/A
73000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
IXYS
1215+
TO-247
150000
全新原装,绝对正品,公司大量现货供应.

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