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IXBT10N170价格
参考价格：￥34.1996
型号：IXBT10N170 品牌：Ixys 备注：这里有IXBT10N170多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IXBT10N170批发/采购报价，IXBT10N170行情走势销售排行榜，IXBT10N170报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IXBT10N170 | High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor Features ● High Blocking Voltage ● JEDEC TO-268 surface and JEDEC TO-247 AD ● Low conduction losses ● High current handling capability ● MOS Gate turn-on - drive simplicity ● Molding epoxies meet UL 94 V-0 flammability classification Applications ● AC motor speed control ● Uninterrupt | IXYS 艾赛斯 |   | |
IXBT10N170 | 封装/外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 包装：管件 描述：IGBT 1700V 20A 140W TO268 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | IXYS 艾赛斯 | | |
High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor Features ● High Blocking Voltage ● JEDEC TO-268 surface and JEDEC TO-247 AD ● Low conduction losses ● High current handling capability ● MOS Gate turn-on - drive simplicity ● Molding epoxies meet UL 94 V-0 flammability classification Applications ● AC motor speed control ● Uninterrupt | IXYS 艾赛斯 | | ||
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High Voltage IGBT 文件：195.04 Kbytes Page：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | |
IXBT10N170产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXBT10N170
- 功能描述
IGBT 晶体管 10 Amps 1700V 2.3 Rds
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
24+ |
TO-268 |
8866 |
||||
IXYS/艾赛斯 |
22+ |
TO-268 |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
|||
IXYS |
23+ |
TO-268 |
7000 |
||||
IXYS/Littelfuse |
25+ |
TO-268 |
15800 |
全新原装正品现货直销 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO268 |
32365 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
24+ |
N/A |
56000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
|||
IXYS |
22+ |
TO268 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
IXYS(艾赛斯) |
2405+ |
Original |
50000 |
只做原装优势现货库存,渠道可追溯 |
|||
IXYS |
23+ |
TO-268 |
8000 |
只做原装现货 |
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IXBT10N170规格书下载地址
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2020-6-16IX9915N
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2020-4-10
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