IXFP3N120价格

参考价格:¥20.3742

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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IXFP3N120

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 3A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 1200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 4.5Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and PFC Circuits..

ISC

无锡固电

IXFP3N120

HiPerFET Power MOSFETs

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IXYS

1200V N-Channel MOSFET

Application « Adaptor | » Charger « Power management « SMPS Standby Power

TECHPUBLIC

台舟电子

NPN/PNP DUAL EMITTER CHOPPER BI-POLAR TRANSISTORS

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NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

THINKISEMI 1000V/1200V/1500V N-Channel Power MOSFETs

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THINKISEMI

思祁半导体

Power switch circuit of adaptor and charger

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HMSEMI

华之美半导体

Electric welder, Inverter

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HMSEMI

华之美半导体

IXFP3N120产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXFP3N120

  • 功能描述

    MOSFET 3 Amps 1200V 4.50 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-11 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
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