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N-Channel MOSFET

DESCRIPTION · Drain Current -ID= 360A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 2.6mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · DC-DC converter · Battery Chargers · High Speed Power Switching Applications

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无锡固电

更新时间:2025-12-15 23:01:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
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