型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IXFX360N10T

GigaMOS Trench HiperFET Power MOSFET

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IXYS

艾赛斯

IXFX360N10T

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:381.74 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

IXFX360N10T

N通道沟槽栅 Gen1 MOSFET

Littelfuse

力特

N-Channel MOSFET

DESCRIPTION · Drain Current -ID= 360A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 2.6mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · DC-DC converter · Battery Chargers · High Speed Power Switching Applications

ISC

无锡固电

GigaMOS Trench HiperFET Power MOSFET

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IXYS

艾赛斯

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

GigaMOS Trench HiperFET Power MOSFET

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IXYS

艾赛斯

IXFX360N10T产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXFX360N10T

  • 功能描述

    MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-9-30 16:12:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Littelfuse/IXYS
24+
TO-247
7814
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
IXYS
25+
PLUS247
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
IXYS/艾赛斯
23+
PLUS247
6000
原装正品,支持实单
IXYS(艾赛斯)
25+
封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
IXYS/艾赛斯
23+
PLUS247
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
24+
N/A
56000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
IXYS(艾赛斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾赛斯)全系列在售
IXYS
22+
TO2473
9000
原厂渠道,现货配单
IXYS
25+
TO-247
326
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