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IXFN360N10T中文资料

厂家型号

IXFN360N10T

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563.69Kbytes

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3

功能描述

N-Channel MOSFET

MOSFET 360 Amps 100V

数据手册

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生产厂商

ISC

IXFN360N10T数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

· Drain Current -ID= 360A@ TC=25℃

· Drain Source Voltage

-VDSS= 100V(Min)

· Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 2.6mΩ(Max)@VGS= 10V

APPLICATIONS

· DC-DC converter

· Battery Chargers

· High Speed Power Switching Applications

IXFN360N10T产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXFN360N10T

  • 功能描述

    MOSFET 360 Amps 100V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-8 13:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
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IXFN360N10T 价格

参考价格:¥81.6746

型号:IXFN360N10T 品牌:IXYS 备注:这里有IXFN360N10T多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IXFN360N10T批发/采购报价,IXFN360N10T行情走势销售排排榜,IXFN360N10T报价。

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