位置：首页 > IC中文资料第490页 > IXFK33N50
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IXFK33N50 | HiPerFET Power MOSFETs HiPerFET Power MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr Features • International standard packages • Molding epoxies meet UL 94 V-0 flammability classification • Low RDS (on) HDMOSTM process • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated • Fast intrinsic rectifi | IXYS |   | |
IXFK33N50 | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 33A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.16Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c | ISC 无锡固电 | | |
IXFK33N50 | Power MOSFETs 文件：202.7 Kbytes Page：3 Pages | IXYS | | |
Power MOSFETs 文件：202.7 Kbytes Page：3 Pages | IXYS | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：295.28 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：296.36 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | |
IXFK33N50产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXFK33N50
- 功能描述
MOSFET 33 Amps 500V 0.16 Rds
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
NA/ |
13888 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
IXYS |
1932+ |
TO-264 |
219 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
11+P |
TO-264 |
82 |
||||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-264 |
30000 |
全新原装现货,价格优势 |
|||
IXYS |
23+ |
管3PL |
63786 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
22+ |
TO-264 |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
|||
IXYS |
23+ |
管3PL |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
|||
IXYS |
22+ |
TO2643 TO264AA |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
IXYS |
24+ |
TO-264AA |
1276 |
||||
IXYS |
23+ |
TO264 |
8000 |
只做原装现货 |
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原装正品现货
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2019-3-14
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